【STM32】STM32内部flash编程和擦除 |
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【STM32】STM32内部flash编程和擦除
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一直在想设计OTA方案，使用开源的软件工具实现OTA，因为涉及较多，暂未完成。。。 关于OTA设计，可以先参考IAP：【IAP】IAP在线升级流程，涉及对芯片BootLoader和flash操作；升级数据下发又涉及使用哪种网络协议等，还有等等。。。言归正传。 对不同芯片的flash的操作不太相同，也有类似的地方。STM32L43xx系列：每页2k数据，单bank。
STM32G4系列：双bank ，每个bank 128页。
所以在设计时要对内部flash（暂时不说外部flash）正确划分、操作， 认真查看手册，官方例程。他们才是最熟悉芯片。
擦除结构体： 参数1：选择哪种擦除方式 参数2：擦除所在bank区 参数3：擦除页（从多少页开始擦除） 参数4：擦除多少页 typedef struct { uint32_t TypeErase; /*!< Mass erase or page erase. This parameter can be a value of @ref FLASH_Type_Erase */ uint32_t Banks; /*!< Select bank to erase. This parameter must be a value of @ref FLASH_Banks (FLASH_BANK_BOTH should be used only for mass erase) */ uint32_t Page; /*!< Initial Flash page to erase when page erase is disabled. This parameter must be a value between 0 and (max number of pages in the bank - 1) (eg : 127 for 512KB dual bank) */ uint32_t NbPages; /*!< Number of pages to be erased. This parameter must be a value between 1 and (max number of pages in the bank - value of initial page)*/ } FLASH_EraseInitTypeDef;这两个函数很重要。。。获得地址所在页，获得地址所在bank 。 static uint32_t GetPage(uint32_t Addr) { uint32_t page = 0; if (Addr < (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE)) { /* Bank 1 */ page = (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE; } else { /* Bank 2 */ page = (Addr - (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE)) / FLASH_PAGE_SIZE; } return page; } /** * @brief Gets the bank of a given address * @param Addr: Address of the FLASH Memory * @retval The bank of a given address */ static uint32_t GetBank(uint32_t Addr) { return FLASH_BANK_1; }擦数据函数： if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK) { ｝向flash中写入数据：双字写64位数据。 if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, Address, DATA_64) == HAL_OK) { Address = Address + 8; /* increment to next double word*/ 1地址，1字节数据 }flash中数据：
while (Address < FLASH_USER_END_ADDR) { data32 = *(__IO uint32_t *)Address; if (data32 != DATA_32) { MemoryProgramStatus++; } Address = Address + 4; } 单字读数据
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